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网上炒股:短线配资网-“超级周期”愈演愈烈?HBM概念集体走强

摘要:   高带宽内存(HBM)11月27日表现强势,板块中壹石通涨停,国芯科技、炬光科技、华海诚科也涨幅靠前。  资料显示,HBM是将DRAM通过...
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  高带宽内存(HBM)11月27日表现强势 ,板块中壹石通涨停,国芯科技 、炬光科技、华海诚科也涨幅靠前。

  资料显示,HBM是将DRAM通过先进封装技术堆叠而成 ,与GPU整合于同一块芯片上,目前AI服务器是HBM最重要的市场 。

  一段时间以来,在AI对HBM的需求激增下 ,给存储供应链带来了强烈的连锁反应 ,存储产业迎来一轮洗牌。发展空间更大、利润更高的HBM等方向挤占了传统存储介质产能,存储产业的涨价潮也随之发生,存储“超级周期”也见诸各大报端。

  比如本月初 ,SK海力士宣布已与英伟达就明年(2026年)HBM4供应完成价格和数量谈判,其向英伟达供应的HBM4单价确认约为560美元,较当前供应的HBM3E(约370美元)涨价超50% ,且超出此前业内预期的500美元的10%以上 。

  调查机构Counterpoint Research此前发表的报告显示,在今年第二季度的全球高带宽内存(HBM)市场中,SK海力士以62%的出货量占据首位。作为全球HBM市场的龙头 ,SK海力士的此次定价落地或将引爆市场对高端存储芯片的价值重估。

  有券商研报表示,作为AI时代不可或缺的产品,HBM产业链可关注HBM设备(精智达 、华海清科等)、HBM材料(华海诚科、联瑞新材等) 、HBM封测(通富微电 、佰维存储等)、分销商(香农芯创、商络电子等)等环节 。

  国信证券指出 ,TrendForce预计4Q25一般型DRAM价格将环增18%~23%,含HBM的整体DRAM价格将环增23%~28%,预计涨幅较前次明显上调;预计4Q25 NAND Flash平均价环增5%~10% ,存储进入持续涨价阶段 ,叠加手机 、服务器市场打开国产化空间,我们认为国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇期 。

  从规模角度看,国盛证券表示 ,Yole Group的预测数显示,全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元,CAGR达33%。HBM在DRAM市场中的收益份额预计将从2024的18%扩大到2030年的50%。

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